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用于未来光电器件的异质外延 Si/ZnO 分级纳米结构。

Heteroepitaxial Si/ZnO hierarchical nanostructures for future optoelectronic devices.

机构信息

School of Chemistry, The Raymond and Beverly Sackler Faculty of Exact Sciences, Tel-Aviv University, Tel-Aviv 69978, Israel.

出版信息

Chemphyschem. 2010 Mar 15;11(4):809-14. doi: 10.1002/cphc.201000021.

DOI:10.1002/cphc.201000021
PMID:20187058
Abstract

The synthesis of highly-ordered ultra-dense heteroepitaxial Si/ZnO hierarchical nanostructures by a simple and cost-effective approach is demonstrated. We also show, based on the same approach, the synthesis of ZnO nanoparticle-decorated Si nanowire cores and Si/ZnO conformal core-shell hetero-nanostructures. The as-synthesized ZnO nanobranches on Si nanowire cores exhibit an epitaxial relationship as (111)Si/(100) ZnO. Excellent control over the composition, dimensions, and density of ZnO branches on Si cores has been achieved. Thus, in future, this family of well-controlled, high-quality Si/ZnO hierarchical hetero-nanostructures could play a role as multifunctional candidates in the fabrication of optoelectronic devices, particularly for the development of a new generation of solar-cell devices.

摘要

通过一种简单且具有成本效益的方法,成功合成了高度有序的超密异质外延 Si/ZnO 分级纳米结构。我们还基于相同的方法展示了 ZnO 纳米颗粒修饰的 Si 纳米线核以及 Si/ZnO 共形核壳异质纳米结构的合成。在 Si 纳米线核上合成的 ZnO 纳米枝晶表现出(111)Si/(100)ZnO 的外延关系。可以实现对 Si 核上 ZnO 枝晶的组成、尺寸和密度的精确控制。因此,在未来,这一系列经过良好控制的高质量 Si/ZnO 分级异质纳米结构可以作为光电设备制造中的多功能候选材料,特别是在新一代太阳能电池设备的开发中。

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