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通过倾斜奥斯特场写入控制磁畴壁极化。

Control of magnetic domain-wall polarization by means of angled Oersted field writing.

机构信息

Department of Physics, Seoul National University, Seoul, Republic of Korea.

出版信息

Nanotechnology. 2011 Jan 14;22(2):025702. doi: 10.1088/0957-4484/22/2/025702. Epub 2010 Dec 7.

DOI:10.1088/0957-4484/22/2/025702
PMID:21135480
Abstract

We propose a method to control the polarization of the magnetic domain walls (DWs) in ferromagnetic nanowires. Two neighboring DWs with antiparallel polarization alignment rather than parallel alignment are found to exhibit better stability with a helical magnetic structure that can be hardly be detangled. To achieve such an antiparallel alignment, two co-planar current lines with an angle to the nanowire are designed, from which the Oersted field creates a domain in between the current lines while keeping the polarization of the DWs beneath the current lines, as confirmed by a micromagnetic calculation for ferromagnetic nanowires with perpendicular magnetic anisotropy.

摘要

我们提出了一种控制铁磁纳米线中磁畴壁(DW)极化的方法。我们发现,具有反平行极化排列的两个相邻 DW 比平行排列的 DW 具有更好的稳定性,因为它们具有螺旋磁结构,很难解开。为了实现这种反平行排列,我们设计了两条与纳米线成一定角度的共面电流线,奥斯特场在电流线之间产生一个畴,同时保持电流线下方 DW 的极化,这一点通过对具有垂直磁各向异性的铁磁纳米线的微磁计算得到了证实。

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