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外延生长 CeWO4(100) 薄膜的原位合成。

In situ growth of epitaxial cerium tungstate (100) thin films.

机构信息

Sincrotrone Trieste SCpA, Strada Statale 14, km 163.5, I-34149 Basovizza, Trieste, Italy.

出版信息

Phys Chem Chem Phys. 2011 Apr 21;13(15):7083-9. doi: 10.1039/c0cp03012k. Epub 2011 Mar 11.

DOI:10.1039/c0cp03012k
PMID:21399780
Abstract

The deposition of ceria on a preoxidized W(110) crystal at 870 K has been studied in situ by photoelectron spectroscopy and low-energy electron diffraction. Formation of an epitaxial layer of crystalline cerium tungstate Ce(6)WO(12)(100), with the metals in the Ce(3+) and W(6+) chemical states, has been observed. The interface between the tungsten substrate and the tungstate film consists of WO suboxide. At thicknesses above 0.89 nm, cerium dioxide grows on the surface of Ce(6)WO(12), favoured by the limited diffusion of tungsten from the substrate.

摘要

在 870K 下,通过光电子能谱和低能电子衍射对氧化钨(110)晶体上氧化铈的沉积进行了原位研究。观察到具有 Ce(3+)和 W(6+)化学状态的金属的结晶型钨酸铈 Ce(6)WO(12)(100)的外延层的形成。钨基底和钨酸盐膜之间的界面由 WO 亚氧化物组成。在厚度超过 0.89nm 时,氧化铈在 Ce(6)WO(12)的表面上生长,这得益于钨从基底的有限扩散。

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