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介孔 Co3O4 单层空心球阵列作为电化学赝电容器材料。

Mesoporous Co3O4 monolayer hollow-sphere array as electrochemical pseudocapacitor material.

机构信息

State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2011 May 28;47(20):5786-8. doi: 10.1039/c1cc11281c. Epub 2011 Apr 14.

Abstract

A Co(3)O(4) monolayer hollow-sphere array with mesoporous walls exhibits high pseudocapacitances of 358 F g(-1) at 2 A g(-1) and 305 F g(-1) at 40 A g(-1), as well as excellent cycling stability for application as pseudocapacitors.

摘要

具有介孔壁的 Co(3)O(4) 单层空心球阵列表现出高赝电容,在 2 A g(-1) 时为 358 F g(-1),在 40 A g(-1) 时为 305 F g(-1),并且作为赝电容器具有优异的循环稳定性。

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