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哌啶诱导的单壁碳纳米管场效应晶体管的极性转换。

Piperidine induced polarity conversion in single-walled carbon nanotube field effect transistors.

机构信息

Microelectronics Centre, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore.

出版信息

Nanotechnology. 2011 Jun 17;22(24):245306. doi: 10.1088/0957-4484/22/24/245306. Epub 2011 May 4.

DOI:10.1088/0957-4484/22/24/245306
PMID:21543830
Abstract

Piperidine is found to be an efficient electron doping agent that converts as-prepared p-type single-walled carbon nanotube (SWCNT) field effect transistors (FETs) into n-type SWCNT-FETs. Electron transfer from the amine group in piperidine to the SWCNTs is suggested to be the origin of the p- to n-type conversion. The effect of electron doping is further supported by the Raman tangential G(+) and G(-)-peak downshift up to 3 cm(-1) without the peak broadening. No detectable change in the Raman D-peak suggests non-covalent attachment of piperidine to the SWCNTs. A low temperature (110 °C) Si(3)N(4) passivation layer is used to maintain the long term air stability of the converted n-type devices. A complementary SWCNT inverter is demonstrated through integrating the n- and p-type SWCNT-FETs.

摘要

哌啶被发现是一种有效的电子掺杂剂,可将制备的 p 型单壁碳纳米管 (SWCNT) 场效应晶体管 (FET) 转换为 n 型 SWCNT-FET。据推测,哌啶中氨基向 SWCNTs 的电子转移是 p 型到 n 型转换的起源。电子掺杂的效果还得到了 Raman 切向 G(+)和 G(-)峰的进一步支持,其下截至 3 cm(-1),没有峰展宽。Raman D 峰没有可检测到的变化表明哌啶与 SWCNTs 为非共价附着。使用低温 (110°C) Si(3)N(4)钝化层来保持转换后的 n 型器件的长期空气稳定性。通过集成 n 型和 p 型 SWCNT-FET,演示了互补 SWCNT 逆变器。

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