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高温分数量子霍尔态。

High-temperature fractional quantum Hall states.

机构信息

Department of Physics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA.

出版信息

Phys Rev Lett. 2011 Jun 10;106(23):236802. doi: 10.1103/PhysRevLett.106.236802. Epub 2011 Jun 6.

DOI:10.1103/PhysRevLett.106.236802
PMID:21770532
Abstract

We show that a suitable combination of geometric frustration, ferromagnetism, and spin-orbit interactions can give rise to nearly flatbands with a large band gap and nonzero Chern number. Partial filling of the flatband can give rise to fractional quantum Hall states at high temperatures (maybe even room temperature). While the identification of material candidates with suitable parameters remains open, our work indicates intriguing directions for exploration and synthesis.

摘要

我们表明,几何各向异性、铁磁性和自旋轨道相互作用的适当组合可以产生具有大带隙和非零陈数的近乎平坦带。平坦带的部分填充可以在高温(甚至室温)下产生分数量子霍尔态。虽然具有合适参数的材料候选物的识别仍然存在,但我们的工作为探索和合成指明了有趣的方向。

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