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球形半导体量子点中相互作用的电子 - 空穴对的斯塔克效应

Stark effect of interactive electron-hole pairs in spherical semiconductor quantum dots.

作者信息

Billaud B, Picco M, Truong T-T

机构信息

Laboratoire de Physique Théorique et Hautes Energies (LPTHE), CNRS UMR 7589, Université Pierre et Marie Curie (Paris VI), 4 place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, France. Laboratoire de Physique Théorique et Modélisation (LPTM), CNRS UMR 8089, Université de Cergy-Pontoise, 2 Avenue Adolphe Chauvin, F-95302 Cergy-Pontoise Cedex, France.

出版信息

J Phys Condens Matter. 2009 Sep 30;21(39):395302. doi: 10.1088/0953-8984/21/39/395302. Epub 2009 Sep 1.

DOI:10.1088/0953-8984/21/39/395302
PMID:21832385
Abstract

We present a theoretical approach, based on the effective mass approximation model, on the quantum-confinement Stark effects for spherical semiconducting quantum dots in the regime of strong confinement of interactive electron-hole pairs and limiting weak electric field. The respective roles of Coulomb potential and polarization energy are investigated in detail. Under reasonable physical assumptions, analytical calculations can be performed. They show that the Stark shift is a quadratic function of the electric field amplitude in this regime. The computed numerical values obtained from this approach are found to be in good agreement with experimental data over a significant domain of quantum dot sizes.

摘要

我们提出了一种基于有效质量近似模型的理论方法,用于研究在相互作用的电子 - 空穴对强限制和弱电场极限条件下,球形半导体量子点的量子限制斯塔克效应。详细研究了库仑势和极化能各自的作用。在合理的物理假设下,可以进行解析计算。结果表明,在该条件下斯塔克位移是电场幅度的二次函数。通过该方法计算得到的数值结果在量子点尺寸的很大范围内与实验数据吻合良好。

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