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采用荧光产额 X 射线吸收光谱法对工作中的有机场效应薄膜晶体管进行特性描述。

Characterization of an organic field-effect thin-film transistor in operation using fluorescence-yield x-ray absorption spectroscopy.

机构信息

RIKEN (The Institute of Physical and Chemical Research), Wako, Saitama 351-0198, Japan.

出版信息

Phys Rev Lett. 2011 Sep 30;107(14):147401. doi: 10.1103/PhysRevLett.107.147401.

DOI:10.1103/PhysRevLett.107.147401
PMID:22107232
Abstract

In situ element-specific observation of electronic states of organic films beneath metal electrodes is achieved by x-ray absorption spectroscopy (XAS) in the bulk-sensitive fluorescence-yield (FY) mode. The molecular orientation in Au-covered oligo-thiophene films is confirmed by the C K-edge FY-XAS spectra and the applied bias dependence of the spectra is successfully detected for the first time. The present method can give deeper insights into the electronic-state investigation of various real-device systems under operational conditions.

摘要

通过 X 射线吸收光谱(XAS)在体敏感荧光产额(FY)模式下,实现了对金属电极下有机薄膜中电子态的原位元素特异性观察。通过 C K 边 FY-XAS 光谱证实了 Au 覆盖的低聚噻吩薄膜中的分子取向,并且首次成功检测到光谱的外加偏压依赖性。本方法可以深入了解各种实际器件系统在工作条件下的电子态研究。

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