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使用 X 射线光电子能谱和吸收光谱对 Cu(110) 上的 Cu2O 和 CuO 薄膜的电子结构进行实验和理论研究。

Experimental and theoretical investigation of the electronic structure of Cu2O and CuO thin films on Cu(110) using x-ray photoelectron and absorption spectroscopy.

机构信息

Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA.

出版信息

J Chem Phys. 2013 Jan 14;138(2):024704. doi: 10.1063/1.4773583.

Abstract

The electronic structure of Cu(2)O and CuO thin films grown on Cu(110) was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray absorption spectroscopy (XAS). The various oxidation states, Cu(0), Cu(+), and Cu(2+), were unambiguously identified and characterized from their XPS and XAS spectra. We show that a clean and stoichiometric surface of CuO requires special environmental conditions to prevent loss of oxygen and contamination by background water. First-principles density functional theory XAS simulations of the oxygen K edge provide understanding of the core to valence transitions in Cu(+) and Cu(2+). A novel method to reference x-ray absorption energies based on the energies of isolated atoms is presented.

摘要

采用 X 射线光电子能谱(XPS)和 X 射线吸收谱(XAS)对 Cu(110)上生长的 Cu(2)O 和 CuO 薄膜的电子结构进行了表征。从 XPS 和 XAS 谱中可以明确地识别和表征出各种氧化态,Cu(0)、Cu(+)和 Cu(2+)。我们表明,要获得清洁且化学计量的 CuO 表面,需要特殊的环境条件来防止氧的损失和背景水的污染。基于孤立原子能量的新型 X 射线吸收能量参考方法被提出。氧 K 边的第一性原理密度泛函理论 XAS 模拟提供了对 Cu(+)和 Cu(2+)中芯到价跃迁的理解。

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