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在 InAs 纳米线双量子点中现场调谐 g 因子。

Field tuning the g factor in InAs nanowire double quantum dots.

机构信息

Department of Physics, Princeton University, Princeton, New Jersey 08544, USA.

出版信息

Phys Rev Lett. 2011 Oct 21;107(17):176811. doi: 10.1103/PhysRevLett.107.176811. Epub 2011 Oct 19.

DOI:10.1103/PhysRevLett.107.176811
PMID:22107563
Abstract

We study the effects of magnetic and electric fields on the g factors of spins confined in a two-electron InAs nanowire double quantum dot. Spin sensitive measurements are performed by monitoring the leakage current in the Pauli blockade regime. Rotations of single spins are driven using electric-dipole spin resonance. The g factors are extracted from the spin resonance condition as a function of the magnetic field direction, allowing determination of the full g tensor. Electric and magnetic field tuning can be used to maximize the g-factor difference and in some cases altogether quench the electric-dipole spin resonance response, allowing selective single spin control.

摘要

我们研究了磁场和电场对束缚在双电子 InAs 纳米线量子点中的自旋 g 因子的影响。通过在 Pauli 阻塞状态下监测漏电流来进行自旋灵敏测量。使用电偶极自旋共振驱动单个自旋的旋转。g 因子是从自旋共振条件中提取出来的,作为磁场方向的函数,从而确定完整的 g 张量。可以通过电场和磁场的调节来最大化 g 因子的差异,在某些情况下完全抑制电偶极自旋共振响应,从而实现选择性的单自旋控制。

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