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硅纳米线之上具有轴突-树突极性的神经元结构。

Neuronal architectures with axo-dendritic polarity above silicon nanowires.

机构信息

Institut Néel, Consortium de Recherches, pour l'Emergence des Technologies Avancées, CNRS et Université Joseph Fourier, BP 166, 38042 Grenoble Cedex 9, France.

出版信息

Small. 2012 Mar 12;8(5):671-5. doi: 10.1002/smll.201102325. Epub 2012 Jan 9.

DOI:10.1002/smll.201102325
PMID:22228548
Abstract

An approach is developped to gain control over the polarity of neuronal networks at the cellular level by physically constraining cell development by the use of micropatterns. It is demonstrated that the position and path of individual axons, the cell extension that propagates the neuron output signal, can be chosen with a success rate higher than 85%. This allows the design of small living computational blocks above silicon nanowires.

摘要

研究团队开发出一种方法,通过使用微图案在细胞水平上对细胞发育进行物理限制,从而实现对神经元网络极性的控制。研究表明,个体轴突的位置和路径(传播神经元输出信号的细胞延伸)的选择成功率高于 85%。这使得在硅纳米线上设计小型活体计算模块成为可能。

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