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Tl 杂质掺杂 PbTe 中的 Kondo 电荷异常。

Charge Kondo anomalies in PbTe doped with Tl impurities.

机构信息

Peter Grünberg Institut and Institute for Advanced Simulation, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich, Germany.

出版信息

Phys Rev Lett. 2012 Jan 20;108(3):036402. doi: 10.1103/PhysRevLett.108.036402. Epub 2012 Jan 18.

DOI:10.1103/PhysRevLett.108.036402
PMID:22400764
Abstract

We investigate the properties of PbTe doped with a small concentration x of Tl impurities acting as acceptors and described by Anderson impurities with negative onsite correlation energy. We use the numerical renormalization group method to show that the resulting charge Kondo effect naturally accounts for the unusual low temperature and doping dependence of normal state properties, including the self-compensation effect in the carrier density and the nonmagnetic Kondo anomaly in the resistivity. These are found to be in good qualitative agreement with experiment. Our results for the Tl s-electron spectral function provide a new interpretation of point contact data.

摘要

我们研究了掺杂有小浓度 x 的 Tl 杂质的 PbTe 的性质,这些杂质作为受主,采用具有负局域相关能的 Anderson 杂质来描述。我们使用数值重整化群方法表明,由此产生的电荷 Kondo 效应自然解释了正常态性质的异常低温和掺杂依赖性,包括载流子密度中的自补偿效应和电阻率中的非磁性 Kondo 异常。这些与实验结果在定性上非常吻合。我们对 Tl s 电子能谱函数的结果为点接触数据提供了新的解释。

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