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用于器件应用的纳米线的局域生长和原位集成。

Localized growth and in situ integration of nanowires for device applications.

机构信息

Institute of Materials Chemistry, Getreidemarkt 9/BC/02, 1060 Vienna, Austria.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2012 May 16;48(39):4734-6. doi: 10.1039/c2cc30920c. Epub 2012 Apr 5.

DOI:10.1039/c2cc30920c
PMID:22476056
Abstract

Simultaneous localized growth and device integration of inorganic nanostructures on heated micromembranes is demonstrated for single crystalline germanium and tin oxide nanowires. Fully operating CO gas sensors prove the potential of the presented approach. With this simple CMOS compatible technique, issues of assembly, transfer and contact formation are addressed.

摘要

在加热的微膜上,通过同时进行的局部生长和器件集成,成功制备出了单晶锗和氧化锡纳米线的无机纳米结构。完全工作的 CO 气体传感器证明了所提出方法的潜力。通过这种简单的与 CMOS 兼容的技术,可以解决组装、转移和接触形成等问题。

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