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单电子隧穿诱导的碳纳米管纳机电系统的动力学和耗散。

Dynamics and dissipation induced by single-electron tunneling in carbon nanotube nanoelectromechanical systems.

机构信息

Institut Néel, CNRS & Université Joseph Fourier, Grenoble, France.

出版信息

Phys Rev Lett. 2012 Apr 27;108(17):175502. doi: 10.1103/PhysRevLett.108.175502. Epub 2012 Apr 24.

DOI:10.1103/PhysRevLett.108.175502
PMID:22680883
Abstract

We demonstrate the effect of single-electron tunneling (SET) through a carbon nanotube quantum dot on its nanomechanical motion. We find that the frequency response and the dissipation of the nanoelectromechanical system to SET strongly depends on the electronic environment of the quantum dot, in particular, on the total dot capacitance and the tunnel coupling to the metal contacts. Our findings suggest that one could achieve quality factors of 10(6) or higher by choosing appropriate gate dielectrics and/or by improving the tunnel coupling to the leads.

摘要

我们展示了通过碳纳米管量子点的单电子隧道效应(SET)对其纳米机械运动的影响。我们发现,纳米机电系统对 SET 的频率响应和耗散强烈依赖于量子点的电子环境,特别是依赖于总的量子点电容和与金属接触的隧道耦合。我们的发现表明,通过选择适当的栅介质和/或改善与引线的隧道耦合,可以实现 10^6 或更高的品质因数。

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