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应变诱导的反铁磁 LuMnO3 薄膜中的铁磁性。

Strain-induced ferromagnetism in antiferromagnetic LuMnO3 thin films.

机构信息

Laboratory for Neutron Scattering, Paul Scherrer Institut, CH-5232 Villigen, Switzerland.

出版信息

Phys Rev Lett. 2013 Jul 19;111(3):037201. doi: 10.1103/PhysRevLett.111.037201. Epub 2013 Jul 17.

DOI:10.1103/PhysRevLett.111.037201
PMID:23909354
Abstract

Single phase and strained LuMnO(3) thin films are discovered to display coexisting ferromagnetic and antiferromagnetic orders. A large moment ferromagnetism (≈1μ(B)), which is absent in bulk samples, is shown to display a magnetic moment distribution that is peaked at the highly strained substrate-film interface. We further show that the strain-induced ferromagnetism and the antiferromagnetic order are coupled via an exchange field, therefore demonstrating strained rare-earth manganite thin films as promising candidate systems for new multifunctional devices.

摘要

单相和应变 LuMnO(3) 薄膜被发现同时显示出铁磁和反铁磁有序。在体样中不存在的大磁矩铁磁性(≈1μ(B))表现出一个磁矩分布,其峰值出现在高度应变的衬底-薄膜界面处。我们进一步表明,应变诱导的铁磁性和反铁磁性通过交换场耦合,因此证明了应变稀土锰氧化物薄膜是新型多功能器件的有前途的候选体系。

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