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低温单源 AACVD 法制备 SnO 。

Exclusive formation of SnO by low temperature single-source AACVD.

机构信息

Centre for Precursor Design, Department of Chemistry, University of Bath, Claverton Down, Bath, BA2 7AY, UK.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2013 Oct 9;49(78):8773-5. doi: 10.1039/c3cc45676e.

DOI:10.1039/c3cc45676e
PMID:23963262
Abstract

An easily synthesised Sn(II) bis(ureide) derivative is shown to be a single-source precursor for the aerosol-assisted CVD of SnO, providing unprecedented levels of oxidation state control at temperatures as low as 250 °C.

摘要

一种易于合成的 Sn(II)双(脲)衍生物被证明是 SnO 气溶胶辅助化学气相沉积的单源前体,在低至 250°C 的温度下提供了前所未有的氧化态控制水平。

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