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一种在任意基底上沉积 TiO2 纳米线阵列的简易溶液法。

A facile solution route to deposit TiO2 nanowire arrays on arbitrary substrates.

机构信息

State Key Laboratory of Silicon Materials, Key Laboratory of Advanced Materials and Applications for Batteries of Zhejiang Province and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, P. R. China.

出版信息

Nanoscale. 2014 Mar 21;6(6):3046-50. doi: 10.1039/c3nr05786k. Epub 2014 Feb 4.

DOI:10.1039/c3nr05786k
PMID:24496503
Abstract

A facile solution-based technique was developed to grow vertically aligned TiO2 nanowires with predominantly anatase phase on arbitrary substrates of stainless steel, glass, silicon wafer and carbon cloth at the low temperature of 80 °C and in an open atmosphere.

摘要

开发了一种简便的基于溶液的技术,可在 80°C 的低温和开放环境下,在不锈钢、玻璃、硅片和碳纤维布等任意基底上生长具有主要锐钛矿相的垂直排列 TiO2 纳米线。

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