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可兴奋半导体激光器中的相对不应期。

Relative refractory period in an excitable semiconductor laser.

机构信息

Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, LPN-CNRS UPR20, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France.

出版信息

Phys Rev Lett. 2014 May 9;112(18):183902. doi: 10.1103/PhysRevLett.112.183902. Epub 2014 May 7.

DOI:10.1103/PhysRevLett.112.183902
PMID:24856697
Abstract

We report on experimental evidence of neuronlike excitable behavior in a micropillar laser with saturable absorber. We show that under a single pulsed perturbation the system exhibits subnanosecond response pulses and analyze the role of the laser bias pumping. Under a double pulsed excitation we study the absolute and relative refractory periods, similarly to what can be found in neural excitability, and interpret the results in terms of a dynamical inhibition mediated by the carrier dynamics. These measurements shed light on the analogy between optical and biological neurons and pave the way to fast spike-time coding based optical systems with a speed several orders of magnitude faster than their biological or electronic counterparts.

摘要

我们报告了在具有可饱和吸收体的微柱激光器中存在神经元样激发行为的实验证据。我们表明,在单个脉冲扰动下,该系统表现出纳秒级的响应脉冲,并分析了激光偏置泵浦的作用。在双脉冲激发下,我们研究了绝对和相对不应期,这类似于神经兴奋性中发现的情况,并根据载流子动力学介导的动态抑制来解释结果。这些测量结果揭示了光学和生物神经元之间的类比,并为基于光学系统的快速尖峰时间编码铺平了道路,其速度比其生物或电子对应物快几个数量级。

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