压电器件改性 ZnO 变阻器中的双肖特基势垒。

Piezotronically modified double Schottky barriers in ZnO varistors.

机构信息

Institut für Struktur- und Funktionskeramik, Montanuniversitaet Leoben, 8700, Leoben, Austria.

出版信息

Adv Mater. 2015 Mar 25;27(12):2031-5. doi: 10.1002/adma.201403707. Epub 2015 Feb 5.

DOI:10.1002/adma.201403707

Abstract

Double Schottky barriers in ZnO are modified piezotronically by the application of mechanical stresses. New effects such as the enhancement of the potential barrier height and the increase or decrease of the natural barrier asymmetry are presented. Also, an extended model for the piezotronic modification of double Schottky barriers is given.

摘要

氧化锌中的双肖特基势垒可以通过机械应力来修饰压电器件。本文提出了一些新的效应，例如势垒高度的增强、自然势垒不对称性的增加或减少。此外，还给出了双肖特基势垒压电器件修饰的扩展模型。