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在晶圆键合的绝缘体上锗衬底上与非晶硅波导单片集成的锗光电探测器。

Ge photodetector monolithically integrated with amorphous Si waveguide on wafer-bonded Ge-on-insulator substrate.

作者信息

Kang Jian, Takagi Shinichi, Takenaka Mitsuru

出版信息

Opt Express. 2018 Nov 12;26(23):30546-30555. doi: 10.1364/OE.26.030546.

DOI:10.1364/OE.26.030546
PMID:30469952
Abstract

We present a proof-of-concept demonstration of a Ge/a-Si hybrid photonic integrated circuit platform utilizing a high-quality Ge-on-insulator (GeOI) wafer fabricated by wafer bonding technology. Amorphous Si (a-Si) formed by PECVD is found to be a promising alternative to conventional Si passive waveguides on a SiO BOX. Taking advantage of the high crystal quality of the Ge active layer and the easy fabrication of an a-Si waveguide, a low-dark-current Ge waveguide PIN photodetector monolithically integrated with an a-Si passive waveguide is successfully demonstrated on a GeOI wafer.

摘要

我们展示了一种基于通过晶圆键合技术制造的高质量绝缘体上锗（GeOI）晶圆的锗/非晶硅混合光子集成电路平台的概念验证演示。通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成的非晶硅（a-Si）被发现是SiO BOX上传统硅无源波导的一种有前途的替代方案。利用锗有源层的高晶体质量和非晶硅波导易于制造的特点，在GeOI晶圆上成功演示了一种与非晶硅无源波导单片集成的低暗电流锗波导PIN光电探测器。

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