Suppr超能文献

用于数据通信和飞行时间测距的微发光二极管与单光子雪崩二极管探测器在硅互补金属氧化物半导体芯片上的直接集成。

Direct integration of micro-LEDs and a SPAD detector on a silicon CMOS chip for data communications and time-of-flight ranging.

作者信息

Carreira J F C, Griffiths A D, Xie E, Guilhabert B J E, Herrnsdorf J, Henderson R K, Gu E, Strain M J, Dawson M D

出版信息

Opt Express. 2020 Mar 2;28(5):6909-6917. doi: 10.1364/OE.384746.

Abstract

We present integration of singulated micron-sized light emitting diodes (micro-LEDs) directly onto a silicon CMOS drive chip using a transfer printing method. An 8x8 micro-LED device array with individual control over each pixel is demonstrated with modulation bandwidths up to 50 MHz, limited by the large modulation depth of the driver chip. The 2 kHz frame rate CMOS driver also incorporates a Single Photon Avalanche Diode device thus allowing detection and transmission functionality on a single integrated chip. Visible light communications at data rates up to 1 Mbps, and time-of-flight ranging with cm-scale resolution are demonstrated using this hybrid integrated system.

摘要

我们展示了使用转移印刷方法将单个微米级发光二极管(微型发光二极管,micro-LED)直接集成到硅CMOS驱动芯片上。展示了一个8×8微型发光二极管器件阵列,可对每个像素进行单独控制,其调制带宽高达50 MHz,受驱动芯片的大调制深度限制。2 kHz帧率的CMOS驱动芯片还集成了一个单光子雪崩二极管器件,从而在单个集成芯片上实现了检测和传输功能。使用这种混合集成系统展示了高达1 Mbps的数据速率的可见光通信以及厘米级分辨率的飞行时间测距。

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