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带 V 补偿的用于高频 RF 输入的差分整流器。

A Differential Rectifier With V Compensation for High-Frequency RF Inputs.

出版信息

IEEE Trans Biomed Circuits Syst. 2023 Aug;17(4):653-663. doi: 10.1109/TBCAS.2023.3264988. Epub 2023 Oct 6.

DOI:10.1109/TBCAS.2023.3264988
PMID:37023151
Abstract

A CMOS differential-drive bootstrap (BS) rectifier achieving an efficient dynamic threshold voltage ( V)-drop compensation at high-frequency RF inputs is proposed for small biomedical implants with wireless power transmission. A bootstrapping circuit with a dynamically controlled NMOS transistor and two capacitors is proposed to implement a dynamic V-drop compensation (DVC). The proposed bootstrapping circuit dynamically compensates the V drop of the main rectifying transistors by generating a compensation voltage only when the compensation is required, improving the power conversion efficiency (PCE) of the proposed BS rectifier. The proposed BS rectifier is designed for an ISM-band frequency of 433.92 MHz. A prototype of the proposed rectifier is co-fabricated in a 0.18- μm standard CMOS process with another configuration of the rectifier and two conventional BS rectifiers for fair performance comparison at various conditions. According to the measurement results, the proposed BS rectifier achieves better DC output voltage level, voltage conversion ratio, and PCE than the conventional BS rectifiers. With 0-dBm input power, 433.92-MHz frequency, and 3-k Ω load resistor, the proposed BS rectifier achieves a peak PCE of 68.5%.

摘要

提出了一种用于小型生物医学植入式无线电源传输的 CMOS 差分驱动自举 (BS) 整流器,可在高频 RF 输入下实现高效的动态阈值电压 (V) 压降补偿。提出了一种带有动态控制 NMOS 晶体管和两个电容器的自举电路,以实现动态 V 压降补偿 (DVC)。所提出的自举电路通过仅在需要补偿时生成补偿电压,动态补偿主整流晶体管的 V 压降,从而提高了所提出的 BS 整流器的功率转换效率 (PCE)。所提出的 BS 整流器针对 433.92 MHz 的 ISM 频段进行了设计。所提出的整流器的原型与另一种整流器和两个传统 BS 整流器一起在 0.18-μm 标准 CMOS 工艺中进行了共制造,以在各种条件下进行公平的性能比较。根据测量结果,与传统的 BS 整流器相比,所提出的 BS 整流器具有更好的直流输出电压电平、电压转换比和 PCE。在 0-dBm 输入功率、433.92 MHz 频率和 3-kΩ 负载电阻的情况下,所提出的 BS 整流器实现了 68.5%的峰值 PCE。

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