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更正：采用绝缘体上硅铸造工艺实现的集成四端单触点纳米机电继电器。

Correction: Integrated 4-terminal single-contact nanoelectromechanical relays implemented in a silicon-on-insulator foundry process.

作者信息

Li Yingying, Worsey Elliott, Bleiker Simon J, Edinger Pierre, Kulsreshath Mukesh Kumar, Tang Qi, Takabayashi Alain Yuji, Quack Niels, Verheyen Peter, Bogaerts Wim, Gylfason Kristinn B, Pamunuwa Dinesh, Niklaus Frank

机构信息

KTH Royal Institute of Technology, 11428 Stockholm, Sweden.

University of Bristol, BS8 1UB Bristol, UK.

出版信息

Nanoscale. 2023 Nov 30;15(46):18940. doi: 10.1039/d3nr90214e.

DOI:10.1039/d3nr90214e
PMID:37965952
Abstract

Correction for 'Integrated 4-terminal single-contact nanoelectromechanical relays implemented in a silicon-on-insulator foundry process' by Yingying Li , , 2023, https://doi.org/10.1039/d3nr03429a.

摘要

对李莹莹等人于2023年发表的《在绝缘体上硅铸造工艺中实现的集成四端单触点纳米机电继电器》的修正，https://doi.org/10.1039/d3nr03429a 。

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