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利用定制的反向模式转换布拉格光栅实现具有抑制反射的高性能超宽带硅TM偏振器。

High-performance and ultra-wide bandwidth silicon TM polarizer with suppressed reflection utilizing a tailored contra-mode conversion Bragg grating.

作者信息

Wu Shengbao, Yu Qianli, Zhang Lei, Guo Zhenzhao, Xiao Jinbiao, Steve Yao X

出版信息

Opt Lett. 2024 Sep 1;49(17):4995-4998. doi: 10.1364/OL.537699.

DOI:10.1364/OL.537699
PMID:39208016
Abstract

We present a compact TM polarizer with high polarization extinction ratio (PER), low loss, and suppressed reflection over an ultra-wide bandwidth on a 220 nm silicon-on-insulator (SOI) platform. The device utilizes a contra-mode conversion Bragg grating (CMC-BG) with strong polarization dependence embedded in a multimode waveguide. Through a sophisticated grating design incorporating tailored chirping and apodization profiles to match modal properties, we have achieved, by simulation, a compact device footprint of 34.72 × 1.22 µm and an ultra-wide bandwidth of 346 nm with PER > 40 dB and an insertion loss (IL) < 1 dB, a 5-fold increase over our previous design. Particularly notable is the polarizer's ability to suppress reflection to <-15 dB across an extended bandwidth exceeding 450 nm. Experimental measurements confirm the excellent performance of the fabricated TM polarizer, with IL < 1.2 dB (0.5 dB) and PER > 30 dB over a bandwidth of 336 nm (268 nm).

摘要

我们展示了一种紧凑型TM偏振器,它在220nm绝缘体上硅(SOI)平台上具有超宽带宽内的高偏振消光比(PER)、低损耗和抑制反射特性。该器件利用了嵌入多模波导中的具有强偏振依赖性的反向模式转换布拉格光栅(CMC-BG)。通过采用精心设计的光栅,结合定制的啁啾和变迹轮廓以匹配模式特性,我们通过模拟实现了34.72×1.22μm的紧凑器件尺寸和346nm的超宽带宽,PER>40dB,插入损耗(IL)<1dB,比我们之前的设计提高了5倍。特别值得注意的是,该偏振器能够在超过450nm的扩展带宽内将反射抑制到<-15dB。实验测量证实了所制备的TM偏振器的优异性能,在336nm(268nm)带宽内IL<1.2dB(0.5dB)且PER >30dB。

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