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电子束剂量分布在介质界面处的扰动。

The perturbation of electron beam dose distributions at medium interfaces.

作者信息

Werner B L

出版信息

Med Phys. 1985 Nov-Dec;12(6):754-63. doi: 10.1118/1.595660.

DOI:10.1118/1.595660
PMID:4079868
Abstract

The perturbation of electron beam dose distributions in the vicinity of medium interfaces is calculated. Two different solutions to the Boltzmann equation, one an energy averaged solution and the other a diffusion approximation solution, are presented for the calculation of the electron distribution in the vicinity of interfaces. An extension of the energy averaged formalism is presented for media with high atomic number. A new effective depth approximation is introduced to calculate the beam conditions beneath the interface. The transformation from electron distribution to dose distribution is made and dose calculations are compared with published electron beam dose measurements.

摘要

计算了介质界面附近电子束剂量分布的扰动情况。给出了玻尔兹曼方程的两种不同解法,一种是能量平均解法,另一种是扩散近似解法,用于计算界面附近的电子分布。针对高原子序数介质,提出了能量平均形式的扩展。引入了一种新的有效深度近似来计算界面下方的束流条件。完成了从电子分布到剂量分布的转换,并将剂量计算结果与已发表的电子束剂量测量结果进行了比较。

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The perturbation of electron beam dose distributions at medium interfaces.电子束剂量分布在介质界面处的扰动。
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