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Schottky-barrier height and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2, NiSi2, and YSi2.

作者信息

Fujitani H, Asano S

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1994 Sep 15;50(12):8681-8698. doi: 10.1103/physrevb.50.8681.

DOI:10.1103/physrevb.50.8681
PMID:9974888
Abstract
摘要

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Schottky-barrier height and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2, NiSi2, and YSi2.硅与金属硅化物（CoSi2、NiSi2和YSi2）界面的肖特基势垒高度及电子结构。
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