• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Calculation of NiSi2-Si Schottky barrier height using an interface-defect model.

作者信息

Kikuchi A

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1989 Oct 15;40(11):8024-8025. doi: 10.1103/physrevb.40.8024.

DOI:10.1103/physrevb.40.8024
PMID:9991244
Abstract
摘要

相似文献

1
Calculation of NiSi2-Si Schottky barrier height using an interface-defect model.基于界面缺陷模型的NiSi₂-Si肖特基势垒高度计算
Phys Rev B Condens Matter. 1989 Oct 15;40(11):8024-8025. doi: 10.1103/physrevb.40.8024.
2
Schottky-barrier height and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2, NiSi2, and YSi2.硅与金属硅化物（CoSi2、NiSi2和YSi2）界面的肖特基势垒高度及电子结构。
Phys Rev B Condens Matter. 1994 Sep 15;50(12):8681-8698. doi: 10.1103/physrevb.50.8681.
3
Medium-energy ion-scattering study of a possible relation between the Schottky-barrier height and the defect density at NiSi2/Si(111) interfaces.关于NiSi2/Si(111)界面处肖特基势垒高度与缺陷密度之间可能关系的中能离子散射研究。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Nov 15;42(15):9598-9608. doi: 10.1103/physrevb.42.9598.
4
Electronic structure and Schottky-barrier heights of (111) NiSi2/Si A- and B-type interfaces.（111）NiSi2/Si A型和B型界面的电子结构与肖特基势垒高度
Phys Rev Lett. 1989 Sep 11;63(11):1168-1171. doi: 10.1103/PhysRevLett.63.1168.
5
Schottky-barrier inhomogeneity at epitaxial NiSi2 interfaces on Si(100).硅（100）上外延NiSi2界面处的肖特基势垒不均匀性。
Phys Rev Lett. 1991 Jan 7;66(1):72-75. doi: 10.1103/PhysRevLett.66.72.
6
Schottky-barrier heights of single-crystal NiSi2 on Si(111): The effect of a surface p-n junction.硅（111）上单晶NiSi2的肖特基势垒高度：表面p-n结的影响。
Phys Rev B Condens Matter. 1986 May 15;33(10):7077-7090. doi: 10.1103/physrevb.33.7077.
7
Hot electron attenuation of direct and scattered carriers across an epitaxial Schottky interface.热电子在外延肖特基界面上对直接和散射载流子的衰减。
J Phys Condens Matter. 2013 Nov 6;25(44):445005. doi: 10.1088/0953-8984/25/44/445005. Epub 2013 Sep 26.
8
Inhomogeneity in barrier height at graphene/Si (GaAs) Schottky junctions.石墨烯/硅（砷化镓）肖特基结处势垒高度的不均匀性。
Nanotechnology. 2015 May 29;26(21):215702. doi: 10.1088/0957-4484/26/21/215702. Epub 2015 May 1.
9
Face Dependence of Schottky Barriers Heights of Silicides and Germanides on Si and Ge.硅化物和锗化物在硅和锗上的肖特基势垒高度的表面依赖性。
Sci Rep. 2017 Nov 30;7(1):16669. doi: 10.1038/s41598-017-16803-6.
10
Enhancing the Photovoltage of Ni/ n-Si Photoanode for Water Oxidation through a Rapid Thermal Process.通过快速热处理工艺提高 Ni/n-Si 光阳极的光电压以促进水氧化。
ACS Appl Mater Interfaces. 2018 Mar 14;10(10):8594-8598. doi: 10.1021/acsami.7b16986. Epub 2018 Mar 1.