（111）NiSi2/Si A型和B型界面的电子结构与肖特基势垒高度 - Suppr | 超能文献

Electronic structure and Schottky-barrier heights of (111) NiSi2/Si A- and B-type interfaces.

作者信息

Das GP, Blöchl P, Andersen OK, Christensen NE, Gunnarsson O

出版信息

Phys Rev Lett. 1989 Sep 11;63(11):1168-1171. doi: 10.1103/PhysRevLett.63.1168.

DOI:10.1103/PhysRevLett.63.1168

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