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Electronic structure and Schottky-barrier heights of (111) NiSi2/Si A- and B-type interfaces.

作者信息

Das GP, Blöchl P, Andersen OK, Christensen NE, Gunnarsson O

出版信息

Phys Rev Lett. 1989 Sep 11;63(11):1168-1171. doi: 10.1103/PhysRevLett.63.1168.

DOI:10.1103/PhysRevLett.63.1168
PMID:10040487
Abstract
摘要

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1
Electronic structure and Schottky-barrier heights of (111) NiSi2/Si A- and B-type interfaces.（111）NiSi2/Si A型和B型界面的电子结构与肖特基势垒高度
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引用本文的文献

1
Face Dependence of Schottky Barriers Heights of Silicides and Germanides on Si and Ge.硅化物和锗化物在硅和锗上的肖特基势垒高度的表面依赖性。
Sci Rep. 2017 Nov 30;7(1):16669. doi: 10.1038/s41598-017-16803-6.