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Core level and valence-band studies of the (111)2 x 2 surfaces of InSb and InAs.

作者信息

Olsson LÖ, Ilver L, Kanski J, Nilsson PO, Andersson CB, Karlsson UO, Håkansson MC

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1996 Feb 15;53(8):4734-4740. doi: 10.1103/physrevb.53.4734.

DOI:10.1103/physrevb.53.4734
PMID:9984034
Abstract
摘要

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1
Core level and valence-band studies of the (111)2 x 2 surfaces of InSb and InAs.锑化铟和砷化铟（111）2×2表面的芯能级和价带研究。
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引用本文的文献

1
Band Structure Extraction at Hybrid Narrow-Gap Semiconductor-Metal Interfaces.混合窄带隙半导体-金属界面处的能带结构提取
Adv Sci (Weinh). 2020 Dec 31;8(4):2003087. doi: 10.1002/advs.202003087. eCollection 2021 Feb.