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Direct observation of above-barrier quasibound states in InxGa1-xAs/AlAs/GaAs quantum wells.

作者信息

Lee CD, Son JS, Leem JY, Noh SK, Lee KS, Lee C, Hwang IS, Park HY

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1996 Jul 15;54(3):1541-1544. doi: 10.1103/physrevb.54.1541.

DOI:10.1103/physrevb.54.1541
PMID:9985993
Abstract
摘要

相似文献

1
Direct observation of above-barrier quasibound states in InxGa1-xAs/AlAs/GaAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter. 1996 Jul 15;54(3):1541-1544. doi: 10.1103/physrevb.54.1541.
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引用本文的文献

1
Oscillations in Absorption from InGaN/GaN Quantum Well to Continuum.从氮化铟镓/氮化镓量子阱到连续谱的吸收振荡。
Nanomaterials (Basel). 2025 Jan 23;15(3):174. doi: 10.3390/nano15030174.