• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Excitation mechanisms of photoluminescence in double-barrier resonant-tunneling structures.

作者信息

Skolnick MS, Simmonds PE, Hayes DG, Higgs AW, Smith GW, Pitt AD, Whitehouse CR, Hutchinson HJ, White CR, Eaves L, Henini M, Hughes OH

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1990 Aug 15;42(5):3069-3076. doi: 10.1103/physrevb.42.3069.

DOI:10.1103/physrevb.42.3069
PMID:9995802
Abstract
摘要

相似文献

1
Excitation mechanisms of photoluminescence in double-barrier resonant-tunneling structures.
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Aug 15;42(5):3069-3076. doi: 10.1103/physrevb.42.3069.
2
Charge accumulation in a double-barrier resonant-tunneling structure studied by photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy.通过光致发光和光致发光激发光谱研究双势垒共振隧穿结构中的电荷积累。
Phys Rev Lett. 1990 May 14;64(20):2422-2425. doi: 10.1103/PhysRevLett.64.2422.
3
Determination of charge accumulation and its characteristic time in double-barrier resonant tunneling structures using steady-state photoluminescence.利用稳态光致发光测定双势垒共振隧穿结构中的电荷积累及其特征时间。
Phys Rev Lett. 1988 May 16;60(20):2085-2088. doi: 10.1103/PhysRevLett.60.2085.
4
Electronic processes in double-barrier resonant-tunneling structures studied by photoluminescence spectroscopy in zero and finite magnetic fields.通过零磁场和有限磁场下的光致发光光谱研究双势垒共振隧穿结构中的电子过程。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 May 15;41(15):10754-10766. doi: 10.1103/physrevb.41.10754.
5
Erratum: Electronic processes in double-barrier resonant-tunneling structures studied by photoluminescence spectroscopy in zero and finite magnetic fields.勘误：通过零磁场和有限磁场下的光致发光光谱研究双势垒共振隧穿结构中的电子过程。
Phys Rev B Condens Matter. 1990 Sep 15;42(8):5364. doi: 10.1103/physrevb.42.5364.
6
Resonant enhancement of tunneling magnetoresistance in double-barrier magnetic heterostructures.双势垒磁性异质结构中隧穿磁电阻的共振增强
Phys Rev Lett. 2002 Sep 2;89(10):107205. doi: 10.1103/PhysRevLett.89.107205. Epub 2002 Aug 20.
7
Experimental study of tunneling escape through double-barrier resonant-tunneling structures.通过双势垒共振隧穿结构的隧穿逃逸实验研究。
Phys Rev B Condens Matter. 1995 Apr 15;51(16):11128-11131. doi: 10.1103/physrevb.51.11128.
8
Resonant and off-resonant phenomena in double-barrier interband tunneling structures.双势垒带间隧穿结构中的共振和非共振现象。
Phys Rev B Condens Matter. 1993 May 15;47(20):13872-13875. doi: 10.1103/physrevb.47.13872.
9
Vertical transport in graphene-hexagonal boron nitride heterostructure devices.石墨烯-六方氮化硼异质结构器件中的垂直输运
Sci Rep. 2015 Sep 29;5:14519. doi: 10.1038/srep14519.
10
Sequential hole tunneling in n-type AlAs/GaAs resonant-tunneling structures from time-resolved photoluminescence.基于时间分辨光致发光的n型AlAs/GaAs共振隧穿结构中的顺序空穴隧穿
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Sep 15;46(11):6982-6989. doi: 10.1103/physrevb.46.6982.

引用本文的文献

1
Resonant Tunneling Diodes: Mid-Infrared Sensing at Room Temperature.共振隧穿二极管：室温下的中红外传感
Nanomaterials (Basel). 2022 Mar 21;12(6):1024. doi: 10.3390/nano12061024.