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Annealing of heavily arsenic-doped silicon: Electrical deactivation and a new defect complex.

作者信息

Pandey KC, Erbil A, Cargill III, Boehme RF, Vanderbilt D

出版信息

Phys Rev Lett. 1988 Sep 12;61(11):1282-1285. doi: 10.1103/PhysRevLett.61.1282.

DOI:10.1103/PhysRevLett.61.1282
PMID:10038752
Abstract
摘要

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