• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

电流影响下荧光硅纳米颗粒组装的观察

Observation of assembly of fluorescent Si nanoparticles under the influence of electric current.

作者信息

Smith A, Chaieb S, al Aql A, Alsalhi M, Nayfeh M H

机构信息

Department of Physics, Department of Theoretical and Applied Mechanics, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois, USA.

出版信息

J Nanosci Nanotechnol. 2002 Oct;2(5):471-3. doi: 10.1166/153348802760394016.

DOI:10.1166/153348802760394016
PMID:12908281
Abstract

A silicon substrate patterned by an oxide is immersed in an alcohol solution of low-doped 1-nm Si nanoparticles. Reverse biasing draws particles to the substrate, mostly along the conducting current paths. Scanning electron and fluorescence microscopy show a tree-like network on the substrate. Avoidance of closed loops and preference for an angle of branching of 90 degrees-120 degrees are observed. The building block of the tree network is not individual particles but spherical particle aggregates approximately 150 nm in diameter.

摘要

一个由氧化物图案化的硅衬底被浸入低掺杂的1纳米硅纳米颗粒的醇溶液中。反向偏压将颗粒吸引到衬底上,主要沿着导电电流路径。扫描电子显微镜和荧光显微镜显示衬底上有一个树状网络。观察到避免形成闭环以及优先选择90度至120度的分支角度。树状网络的构建块不是单个颗粒,而是直径约150纳米的球形颗粒聚集体。

相似文献

1
Observation of assembly of fluorescent Si nanoparticles under the influence of electric current.电流影响下荧光硅纳米颗粒组装的观察
J Nanosci Nanotechnol. 2002 Oct;2(5):471-3. doi: 10.1166/153348802760394016.
2
Anisotropically phase-separated biphasic particles.各向异性相分离双相粒子
Small. 2006 May;2(5):596-8. doi: 10.1002/smll.200500519.
3
Dipole-directed assembly of lines of 1,5-dichloropentane on silicon substrates by displacement of surface charge.通过表面电荷置换在硅衬底上进行1,5 - 二氯戊烷线的偶极导向组装。
Nat Nanotechnol. 2008 Apr;3(4):222-8. doi: 10.1038/nnano.2008.65. Epub 2008 Mar 30.
4
Surface patterning: Silicon falls into line.表面图案化:硅步入正轨。
Nat Nanotechnol. 2008 Apr;3(4):185-6. doi: 10.1038/nnano.2008.79.
5
Fabrication of nanopores in silicon chips using feedback chemical etching.利用反馈化学蚀刻在硅芯片中制造纳米孔。
Small. 2007 Jan;3(1):116-9. doi: 10.1002/smll.200600268.
6
Morphological control of laser-synthesized silicon nanoparticles.激光合成硅纳米颗粒的形态控制
J Nanosci Nanotechnol. 2001 Dec;1(4):381-3. doi: 10.1166/jnn.2001.057.
7
Realization of a silicon nanowire vertical surround-gate field-effect transistor.硅纳米线垂直环绕栅场效应晶体管的实现。
Small. 2006 Jan;2(1):85-8. doi: 10.1002/smll.200500181.
8
Nanoepitaxy of GaAs on a Si(001) substrate using a round-hole nanopatterned SiO2 mask.使用圆形纳米孔 SiO2 掩模在 Si(001)衬底上进行 GaAs 的纳米外延。
Nanotechnology. 2012 Dec 14;23(49):495306. doi: 10.1088/0957-4484/23/49/495306. Epub 2012 Nov 16.
9
Doping-dependent electrical characteristics of SnO2 nanowires.二氧化锡纳米线的掺杂依赖性电学特性
Small. 2008 Apr;4(4):451-4. doi: 10.1002/smll.200700753.
10
Control of single-electron charging of metallic nanoparticles onto amorphous silicon surface.
J Nanosci Nanotechnol. 2008 Nov;8(11):5684-9. doi: 10.1166/jnn.2008.214.