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用于1.06微米和0.905微米波长的砷化镓磷异质结构波导的传播特性:一项评估

Propagation characteristics of GaAsP heterostructure waveguides for 1.06 microm and 0.905 mum wavelengths: an evaluation.

作者信息

Sopori B L, Chang W S

出版信息

Appl Opt. 1976 Mar 1;15(3):789-92. doi: 10.1364/AO.15.000789.

DOI:10.1364/AO.15.000789
PMID:20165057
Abstract

Propagation characteristics of GaAs/GaAs (1-x)P(x) and GaAs (1-y)Py/GaAs(1-x)P(x) waveguides are evaluated at 1.06-mum. and 0.905-mum wavelengths. Attenuation of the lowest order mode in single-mode and two-mode waveguides is 1.2 dB/cm at 1.06 mum. At 0.905 mum the measured attenuation rate for the GaAs(0.80)P(0.20)/GaAs(0.65)P(0.35) waveguide is 1.5 dB/cm. Multimode waveguides have considerable mode conversion due to surface undulations caused by grading dislocations. Refractive indices have also been calculated from experimental data at 1.06 mum for GaAs and GaAs(0.65)P(0.35)to be 3.47 and 3.325, respectively.

摘要

在1.06微米和0.905微米波长下评估了GaAs/GaAs(1 - x)P(x)和GaAs(1 - y)Py/GaAs(1 - x)P(x)波导的传播特性。单模和双模波导中最低阶模在1.06微米处的衰减为1.2分贝/厘米。在0.905微米处,GaAs(0.80)P(0.20)/GaAs(0.65)P(0.35)波导的测量衰减率为1.5分贝/厘米。多模波导由于梯度位错引起的表面起伏而有相当大的模式转换。还根据1.06微米处的实验数据计算出GaAs和GaAs(0.65)P(0.35)的折射率分别为3.47和3.325。

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