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电化学扫描隧道光谱学研究二茂铁修饰的 n-Si(111)表面：电解质门控和双极 FET 行为。

Electrochemical scanning tunnelling spectroscopy of a ferrocene-modified n-Si(111)-surface: electrolyte gating and ambipolar FET behaviour.

机构信息

Department Chem. Biochemistry, University of Berne, Bern, Switzerland.

出版信息

Chem Commun (Camb). 2011 Sep 21;47(35):9807-9. doi: 10.1039/c1cc13188e. Epub 2011 Aug 2.

DOI:10.1039/c1cc13188e
PMID:21808804
Abstract

As revealed for the first time by in situ scanning tunnelling spectroscopy (STS), ferrocene-modified Si(111) substrates show ambipolar field effect transistor (FET) behaviour upon electrolyte gating.

摘要

首次通过原位扫描隧道光谱（STS）揭示，二茂铁修饰的 Si(111)衬底在电解质门控下表现出双极场效应晶体管（FET）行为。

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