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绝缘体上硅集成偏振纠缠光子源。

Silicon-on-insulator integrated source of polarization-entangled photons.

机构信息

Laboratoire Charles Fabry, Institut d’Optique, CNRS, Univ Paris Sud, 2 Avenue Augustin Fresnel, 91127 Palaiseau cedex, France.

出版信息

Opt Lett. 2013 Jun 1;38(11):1960-2. doi: 10.1364/OL.38.001960.

DOI:10.1364/OL.38.001960
PMID:23722803
Abstract

We report the experimental generation of polarization-entangled photons at telecommunication wavelengths using spontaneous four-wave mixing in silicon-on-insulator wire waveguides. The key component is a 2D coupler that transforms path entanglement into polarization entanglement at the output of the device. Using quantum state tomography we find that the produced state has fidelity 88% with a pure nonmaximally entangled state. The produced state violates the CHSH Bell inequality by S=2.37 ± 0.19.

摘要

我们使用硅绝缘体波导中的自发四波混频实验产生了在电信波长下的偏振纠缠光子。关键元件是二维耦合器,它在器件输出端将路径纠缠转换为偏振纠缠。通过量子态层析,我们发现产生的态与纯非最大纠缠态的保真度为 88%。产生的态违反了 CHSH 贝尔不等式,S=2.37±0.19。

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