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薄膜 Fe(3)O(4)中界面诱导的电荷和极化调制。

Interface-induced modulation of charge and polarization in thin film Fe(3)O(4).

机构信息

EMAT, Electron Microscopy for Materials Science, University of Antwerp, Belgium.

出版信息

Adv Mater. 2014 Jan 22;26(3):461-5. doi: 10.1002/adma.201303329. Epub 2013 Oct 25.

DOI:10.1002/adma.201303329
PMID:24167041
Abstract

Charge and polarization modulations in Fe3 O4 are controlled by taking advantage of interfacial strain effects. The feasibility of oxidation state control by strain modification is demonstrated and it is shown that this approach offers a stable configuration at room temperature. Direct evidence of how a local strain field changes the atomic coordination and introduces atomic displacements leading to polarization of Fe ions is presented.

摘要

利用界面应变效应来控制 Fe3 O4 的电荷和极化。通过应变修饰来控制氧化态的可行性得到了验证,并且表明这种方法在室温下提供了一种稳定的构型。本文直接证明了局部应变场如何改变原子配位,并引入原子位移,从而导致 Fe 离子的极化。

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