• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利:CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验

具有介质波导的远红外(λ≈20 µm)砷化铟/锑化铝量子级联激光器的高温运行

High temperature operation of far infrared (λ ≈20 µm) InAs/AlSb quantum cascade lasers with dielectric waveguide.

作者信息

Bahriz M, Lollia G, Baranov A N, Teissier R

出版信息

Opt Express. 2015 Jan 26;23(2):1523-8. doi: 10.1364/OE.23.001523.

DOI:10.1364/OE.23.001523
PMID:25835909
Abstract

We demonstrate the high temperature operation, up to 80°C, of quantum cascade lasers emitting at a wavelength of 20 µm. The lasers are based on the InAs/AlSb materials and take benefit of a low loss plasmon-enhanced dielectric waveguide. The waveguide consists of doped InAs cladding layers and low-doped InAs spacers. For 2.9-mm-long devices, the threshold current density is 4.3 kA/cm and the measured peak output power is 7 mW at room temperature. The cavity length dependence of the threshold currents also indicates that very large optical gain is achieved and effectively overcome the strong free carrier absorption.

摘要

我们展示了发射波长为20微米的量子级联激光器在高达80°C的高温下运行。这些激光器基于InAs/AlSb材料,并利用了低损耗等离子体增强介质波导。该波导由掺杂的InAs包层和低掺杂的InAs间隔层组成。对于长度为2.9毫米的器件,室温下的阈值电流密度为4.3 kA/cm,测量得到的峰值输出功率为7 mW。阈值电流对腔长的依赖性还表明,实现了非常大的光学增益,并有效克服了强烈的自由载流子吸收。

相似文献

1
High temperature operation of far infrared (λ ≈20 µm) InAs/AlSb quantum cascade lasers with dielectric waveguide.具有介质波导的远红外(λ≈20 µm)砷化铟/锑化铝量子级联激光器的高温运行
Opt Express. 2015 Jan 26;23(2):1523-8. doi: 10.1364/OE.23.001523.
2
Room temperature continuous wave operation of InAs-based quantum cascade lasers at 15 µm.基于铟砷的量子级联激光器在15微米波长下的室温连续波运转
Opt Express. 2016 Aug 8;24(16):18799-806. doi: 10.1364/OE.24.018799.
3
High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy.通过金属有机气相外延生长的高性能发射2150纳米的铟砷/铟镓砷/磷化铟量子阱激光器。
Opt Express. 2015 Apr 6;23(7):8383-8. doi: 10.1364/OE.23.008383.
4
Interband cascade Lasers with AlGaAsSb cladding layers emitting at 3.3 µm.
Opt Express. 2019 Oct 28;27(22):31425-31434. doi: 10.1364/OE.27.031425.
5
Long-wavelength (lambda approximately 8-11.5 microm) semiconductor lasers with waveguides based on surface plasmons.基于表面等离子体激元的具有波导的长波长(波长约8 - 11.5微米)半导体激光器。
Opt Lett. 1998 Sep 1;23(17):1366-8. doi: 10.1364/ol.23.001366.
6
High performance distributed feedback quantum cascade laser emitting at λ∼6.12um.
Opt Express. 2022 Feb 14;30(4):5848-5854. doi: 10.1364/OE.450234.
7
High slope-efficiency quantum-dot lasers grown on planar exact silicon (001) with asymmetric waveguide structures.在具有非对称波导结构的平面精确硅(001)上生长的高斜率效率量子点激光器。
Opt Express. 2022 Mar 28;30(7):11563-11571. doi: 10.1364/OE.454895.
8
2.3 µm range InP-based type-II quantum well Fabry-Perot lasers heterogeneously integrated on a silicon photonic integrated circuit.基于2.3微米波段磷化铟的II型量子阱法布里-珀罗激光器,异质集成在硅光子集成电路上。
Opt Express. 2016 Sep 5;24(18):21081-9. doi: 10.1364/OE.24.021081.
9
Low-threshold 2 µm InAs/InP quantum dash lasers enabled by punctuated growth.通过间断生长实现的低阈值2微米砷化铟/磷化铟量子点激光器。
Opt Express. 2024 Jan 15;32(2):1334-1341. doi: 10.1364/OE.509243.
10
Temperature-insensitive long-wavelength (λ ≈14 µm) Quantum Cascade lasers with low threshold.具有低阈值的温度不敏感长波长(λ≈14 µm)量子级联激光器。
Opt Express. 2011 Apr 25;19(9):8297-302. doi: 10.1364/OE.19.008297.

引用本文的文献

1
Quantum cascade lasers grown on silicon.生长在硅上的量子级联激光器。
Sci Rep. 2018 May 8;8(1):7206. doi: 10.1038/s41598-018-24723-2.