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硅:胶体量子点异质结。

The Silicon:Colloidal Quantum Dot Heterojunction.

机构信息

Division of Physical Sciences and Engineering, Solar and Photovoltaics Engineering Research Center, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia.

Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, 10 King's College Road, Toronto, Ontario, M5S 3G4, Canada.

出版信息

Adv Mater. 2015 Dec 2;27(45):7445-50. doi: 10.1002/adma.201503212. Epub 2015 Oct 13.

DOI:10.1002/adma.201503212
PMID:26460732
Abstract

A heterojunction between crystalline silicon and colloidal quantum dots (CQDs) is realized. A special interface modification is developed to overcome an inherent energetic band mismatch between the two semiconductors, and realize the efficient collection of infrared photocarriers generated in the CQD film. This junction is used to produce a sensitive near infrared photodetector.

摘要

实现了晶体硅和胶体量子点(CQDs)之间的异质结。开发了一种特殊的界面修饰方法,以克服两种半导体之间固有的能带不匹配,并实现对 CQD 薄膜中产生的红外光生载流子的有效收集。该结用于制作高灵敏度近红外光电探测器。

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