Suppr超能文献

特刊:碳化硅:从基础到应用

Special Issue: Silicon Carbide: From Fundamentals to Applications.

作者信息

Kukushkin Sergey

机构信息

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences (IPME RAS), 199178 Saint-Petersburg, Russia.

出版信息

Materials (Basel). 2021 Feb 26;14(5):1081. doi: 10.3390/ma14051081.

Abstract

Most of the wide variety of electronic devices today are silicon-based [...].

摘要

如今种类繁多的电子设备大多是以硅为基础的[……]

相似文献

3
Predicting Two-Dimensional Silicon Carbide Monolayers.预测二维碳化硅单层
ACS Nano. 2015 Oct 27;9(10):9802-9. doi: 10.1021/acsnano.5b02753. Epub 2015 Sep 25.
7
Thermoluminescence dosimetric properties of silicon carbide (SiC) used in industrial applications.
Appl Radiat Isot. 2019 Jun;148:138-146. doi: 10.1016/j.apradiso.2019.03.036. Epub 2019 Mar 29.
8
Charge transport in nanoscale junctions.纳米级结中的电荷传输。
J Phys Condens Matter. 2008 Sep 3;20(37):370301. doi: 10.1088/0953-8984/20/37/370301. Epub 2008 Aug 6.
10
Modelling of an ultra-thin silicatene/silicon-carbide hybrid film.
J Phys Condens Matter. 2016 Sep 14;28(36):364005. doi: 10.1088/0953-8984/28/36/364005. Epub 2016 Jul 13.

本文引用的文献

文献检索

告别复杂PubMed语法,用中文像聊天一样搜索,搜遍4000万医学文献。AI智能推荐,让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版,准确专业,支持PDF/Word/PPT等文件格式,支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述,25分钟生成高质量综述,智能提取关键信息,辅助科研写作。

立即免费体验