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基于交替磁性RuO₂的磁性隧道结中的隧穿磁电阻

Tunneling Magnetoresistance in Altermagnetic RuO_{2}-Based Magnetic Tunnel Junctions.

作者信息

Noh Seunghyeon, Kim Gye-Hyeon, Lee Jiyeon, Jung Hyeonjung, Seo Uihyeon, So Gimok, Lee Jaebyeong, Lee Seunghyun, Park Miju, Yang Seungmin, Oh Yoon Seok, Jin Hosub, Sohn Changhee, Yoo Jung-Woo

机构信息

Ulsan National Institute of Science and Technology, Department of Materials and Science and Engineering, Ulsan 44919, Republic of Korea.

Ulsan National Institute of Science and Technology, Department of Physics, Ulsan 44919, Republic of Korea.

出版信息

Phys Rev Lett. 2025 Jun 20;134(24):246703. doi: 10.1103/nrk5-5zrj.

DOI:10.1103/nrk5-5zrj
PMID:40742970
Abstract

Altermagnets exhibit characteristics akin to antiferromagnets, with spin-split anisotropic bands in momentum space. RuO_{2} has been considered as a prototype altermagnet; however, recent reports have questioned altermagnetic ground state in this material. In this Letter, we demonstrate spin-dependent tunneling magnetoresistance (TMR) in RuO_{2}-based magnetic tunnel junctions, which suggests the spin-splitted anisotropic band structure of our RuO_{2} films. The observed TMR is contingent on the direction of the Néel vector of RuO_{2} and reverse its sign by the inversion of the Néel vector. These results reflect the altermagnetic nature of RuO_{2} and highlight its potential for spintronic applications, leveraging the combined strengths of ferromagnetic and antiferromagnetic systems.

摘要

另类磁体表现出与反铁磁体相似的特性,在动量空间中具有自旋分裂的各向异性能带。RuO₂ 被认为是一种典型的另类磁体;然而,最近的报道对这种材料中的另类磁基态提出了质疑。在本信函中,我们展示了基于 RuO₂ 的磁性隧道结中的自旋相关隧穿磁电阻(TMR),这表明我们的 RuO₂ 薄膜具有自旋分裂的各向异性能带结构。观察到的 TMR 取决于 RuO₂ 的奈尔矢量方向,并通过奈尔矢量的反转改变其符号。这些结果反映了 RuO₂ 的另类磁性本质,并突出了其在自旋电子学应用中的潜力,利用了铁磁和反铁磁系统的综合优势。

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