Higashi H, Nishi S
J Physiol. 1982 Nov;332:299-314. doi: 10.1113/jphysiol.1982.sp014414.
采用细胞内记录和电压钳技术,研究了巴比妥类麻醉剂戊巴比妥和硫喷妥对猫初级传入神经元膜特性及γ-氨基丁酸(GABA)诱导反应的影响。
在低浓度(10⁻⁷ - 10⁻⁵ M)时,两种巴比妥类药物均能轻微增强并延长GABA诱导的去极化或电流,且不影响膜特性。在这些浓度下,巴比妥类药物对GABA与GABA受体相互作用的表观解离常数或GABA诱导的去极化或电流的反转电位没有影响。
在高浓度(10⁻⁴ - 10⁻³ M)时,巴比妥类药物使静息膜电位降低数毫伏。电压钳分析表明,去极化与三种电导变化类型之一有关,即先增加后降低(40%的被检测神经元)、仅增加(40%)和仅降低(20%)。
在不同离子介质中的分析表明,膜电阻降低的去极化与氯离子电导增加有关,而膜电阻增加的去极化则伴随着钾离子电导降低。浴用GABA(10⁻³ M)或印防己毒素(10⁻⁵ M)可抑制氯离子电导增加,但不能抑制钾离子电导降低。
这些高浓度的巴比妥类药物最初会导致GABA反应显著增强和延长,随后出现抑制作用。抑制作用似乎不依赖于电压。巴比妥类药物的这些作用并未伴随着GABA电流剂量-反应曲线的表观解离常数或GABA电流反转电位的变化。此外,尽管GABA电流的衰减时间显著延长,但其单指数衰减并未改变。
印防己毒素(10⁻⁵ M)可拮抗高浓度巴比妥类药物对GABA电流的抑制作用,而巴比妥类药物(5×10⁻⁶ M)可降低印防己毒素(5×10⁻⁶ M)对GABA电流的抑制作用。
从所有这些结果来看,提示巴比妥类药物对GABA反应的作用位点主要是变构位点(离子电导调节亚基),而非激动剂识别位点或与GABA受体相连的氯离子通道。