Bristow D R, Zamani M R
Department of Physiological Sciences, University of Manchester.
Br J Pharmacol. 1993 Jun;109(2):353-9. doi: 10.1111/j.1476-5381.1993.tb13577.x.
在10 mM LiCl存在的情况下,组胺刺激对照HeLa细胞中总[3H] - 肌醇磷酸(IPn)的积累,其EC50为3.7±0.7 microM。孵育15分钟后,对组胺的最大反应比基础积累高43±5%,且在组胺浓度为1 mM时出现。
HeLa细胞中组胺诱导的IPn产生被确认为H1受体介导的,因为H1拮抗剂美吡拉敏(10(-6) M)抑制组胺反应(10(-4) M)达83±7%,而H2拮抗剂雷尼替丁(10(-4) M)和H3拮抗剂硫代哌酰胺(10(-6) M)无效。
用组胺(10(-4) M)预处理HeLa细胞30分钟,会使随后组胺诱导的IPn积累脱敏。孵育15分钟后,脱敏细胞对组胺积累IPn的EC50为1.7±0.7 microM。在10(-4) M组胺时,最大组胺诱导的IPn积累比基础值高19±5%,且显著低于(P < 0.03)对照细胞中的最大反应。
组胺诱导的IPn积累脱敏是时间依赖性的,在脱敏组胺浓度为10(-4) M时,大约9分钟后出现半数最大衰减,15 - 20分钟达到最大脱敏。IPn积累的脱敏是一种可逆现象,去除含脱敏组胺的培养基150分钟后反应完全恢复。组胺诱导反应恢复的半衰期估计为120分钟。
缓激肽刺激HeLa细胞中IPn的积累,对照细胞中的EC50为1.9±0.2 nM,与组胺预处理细胞的EC50值1.6±0.9 nM无显著差异。在对照细胞中,1 microM缓激肽时的反应比基础IPn积累高194±48%,该值与组胺预处理的HeLa细胞中1 microM缓激肽诱导的IPn积累(比基础值高143±38%)有显著差异(P < 0.04)。
NaF以剂量相关方式刺激对照HeLa细胞中IPn的积累,最大效应在15 - 20 mM时出现。对照细胞中NaF刺激IPn积累的EC50值为10.5±1.1 mM,孵育20分钟后最大反应比基础值高136±41%。在组胺脱敏的HeLa细胞中,刺激20分钟后NaF的EC50值为12.3±0.4 mM,与对照细胞中获得的值无显著差异。在15 - 20 mM时,脱敏细胞中NaF刺激的IPn形成比基础值高68±23%,且显著低于(P < 0.01)对照细胞中获得的值。
我们在此表明,HeLa细胞的急性组胺预处理导致组胺H1受体介导的IPn产生脱敏。这种脱敏不仅限于H1受体介导的信号转导途径,还包括缓激肽和NaF介导的反应,支持一种异源脱敏机制。我们的结果与衰减位点在G蛋白处或其远端以及潜在机制是肌醇磷酸产生的时间进程减慢一致。