• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Strain effects on excitonic transitions in GaN: Deformation potentials.

作者信息

Shan W, Hauenstein RJ, Fischer AJ, Song JJ, Perry WG, Bremser MD, Davis RF, Goldenberg B

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1996 Nov 15;54(19):13460-13463. doi: 10.1103/physrevb.54.13460.

DOI:10.1103/physrevb.54.13460
PMID:9985247
Abstract
摘要

相似文献

1
Strain effects on excitonic transitions in GaN: Deformation potentials.
Phys Rev B Condens Matter. 1996 Nov 15;54(19):13460-13463. doi: 10.1103/physrevb.54.13460.
2
Excitonic complexes in GaN/(Al,Ga)N quantum dots.
J Phys Condens Matter. 2017 Mar 15;29(10):105302. doi: 10.1088/1361-648X/aa57d5. Epub 2017 Feb 1.
3
Multivalence-band calculation of the excitonic dielectric function for hexagonal GaN.六方 GaN 的激子介电函数的多价带计算
J Phys Condens Matter. 2013 May 1;25(17):175801. doi: 10.1088/0953-8984/25/17/175801. Epub 2013 Apr 8.
4
Strain-induced magnetic transitions in half-fluorinated single layers of BN, GaN and graphene.应变诱导的 BN、GaN 和石墨烯的半氟化单层中的磁转变。
Nanoscale. 2011 May;3(5):2301-6. doi: 10.1039/c1nr10167f. Epub 2011 Apr 15.
5
Hybrid density functional theory studies of AlN and GaN under uniaxial strain.在单轴应变下的 AlN 和 GaN 的杂化密度泛函理论研究。
J Phys Condens Matter. 2013 Jan 30;25(4):045801. doi: 10.1088/0953-8984/25/4/045801. Epub 2012 Dec 17.
6
Homogeneous Strain Deformation Path for the Wurtzite to Rocksalt High-Pressure Phase Transition in GaN.氮化镓中纤锌矿到岩盐型高压相变的均匀应变变形路径
Phys Rev Lett. 2001 Jan 1;86(1):91-94. doi: 10.1103/PhysRevLett.86.91.
7
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission.分子束外延法在 GaN 缓冲 Si(111)衬底上选择性外延生长 In(Ga)N/GaN 纳米柱：从紫外到红外发光。
Nanotechnology. 2013 May 3;24(17):175303. doi: 10.1088/0957-4484/24/17/175303. Epub 2013 Apr 4.
8
Investigation of the strain induced optical transition energy shift of the GaN nanorod light emitting diode arrays.氮化镓纳米棒发光二极管阵列应变诱导光学跃迁能量位移的研究。
Opt Express. 2011 Jul 4;19 Suppl 4:A900-7. doi: 10.1364/OE.19.00A900.
9
Intersubband absorption in GaN nanowire heterostructures at mid-infrared wavelengths.GaN 纳米线异质结构中的中红外波长的子带间吸收。
Nanotechnology. 2018 Sep 21;29(38):385201. doi: 10.1088/1361-6528/aacf55. Epub 2018 Jun 27.
10
Great enhancement in the excitonic recombination and light extraction of highly ordered InGaN/GaN elliptic nanorod arrays on a wafer scale.晶圆级高度有序的InGaN/GaN椭圆纳米棒阵列的激子复合和光提取得到极大增强。
Nanotechnology. 2016 Jan 8;27(1):015301. doi: 10.1088/0957-4484/27/1/015301. Epub 2015 Nov 23.

引用本文的文献

1
III-nitride core-shell nanorod array on quartz substrates.在石英衬底上生长 III 族氮化物核壳纳米棒阵列。
Sci Rep. 2017 Mar 27;7:45345. doi: 10.1038/srep45345.
2
Optical Properties of Strained Wurtzite Gallium Phosphide Nanowires.应变纤锌矿磷化镓纳米线的光学性质。
Nano Lett. 2016 Jun 8;16(6):3703-9. doi: 10.1021/acs.nanolett.6b01038. Epub 2016 May 13.
3
Influence of stress in GaN crystals grown by HVPE on MOCVD-GaN/6H-SiC substrate.高压气相外延法生长 GaN 晶体中的应力对 MOCVD-GaN/6H-SiC 衬底的影响。
Sci Rep. 2014 Feb 26;4:4179. doi: 10.1038/srep04179.