• 文献检索
  • 文档翻译
  • 深度研究
  • 学术资讯
  • Suppr Zotero 插件Zotero 插件
  • 邀请有礼
  • 套餐&价格
  • 历史记录
应用&插件
Suppr Zotero 插件Zotero 插件浏览器插件Mac 客户端Windows 客户端微信小程序
定价
高级版会员购买积分包购买API积分包
服务
文献检索文档翻译深度研究API 文档MCP 服务
关于我们
关于 Suppr公司介绍联系我们用户协议隐私条款
关注我们

Suppr 超能文献

核心技术专利：CN118964589B侵权必究
粤ICP备2023148730 号-1Suppr @ 2026

文献检索

告别复杂PubMed语法，用中文像聊天一样搜索，搜遍4000万医学文献。AI智能推荐，让科研检索更轻松。

立即免费搜索

文件翻译

保留排版，准确专业，支持PDF/Word/PPT等文件格式，支持 12+语言互译。

免费翻译文档

深度研究

AI帮你快速写综述，25分钟生成高质量综述，智能提取关键信息，辅助科研写作。

立即免费体验

Subpicosecond photoconductivity of In0.53Ga0.47As: Intervalley scattering rates observed via THz spectroscopy.

作者信息

Ralph SE, Chen Y, Woodall J, McInturff D

出版信息

Phys Rev B Condens Matter. 1996 Aug 15;54(8):5568-5573. doi: 10.1103/physrevb.54.5568.

DOI:10.1103/physrevb.54.5568
PMID:9986519
Abstract
摘要

相似文献

1
Subpicosecond photoconductivity of In0.53Ga0.47As: Intervalley scattering rates observed via THz spectroscopy.
Phys Rev B Condens Matter. 1996 Aug 15;54(8):5568-5573. doi: 10.1103/physrevb.54.5568.
2
Fabrication and Characterization of InGaAs/InAs/InGaAs Composite Channel Metamorphic HEMTs (mHEMTs) on a GaAs Substrate.基于砷化镓衬底的铟镓砷/铟砷/铟镓砷复合沟道变质高电子迁移率晶体管（mHEMT）的制造与特性分析
Micromachines (Basel). 2022 Dec 25;14(1):56. doi: 10.3390/mi14010056.
3
Damage-Free Smooth-Sidewall InGaAs Nanopillar Array by Metal-Assisted Chemical Etching.无损伤光滑侧壁 InGaAs 纳米柱阵列的金属辅助化学腐蚀法制备。
ACS Nano. 2017 Oct 24;11(10):10193-10205. doi: 10.1021/acsnano.7b04752. Epub 2017 Sep 29.
4
Enhancement in speed and responsivity of uni-traveling carrier photodiodes with GaAsSb/InGaAs type-II hybrid absorbers.采用GaAsSb/InGaAs II型混合吸收体的单载流子光电二极管的速度和响应度增强
Opt Express. 2019 May 27;27(11):15495-15504. doi: 10.1364/OE.27.015495.
5
Multi-dimensional optimization of InGaAs thermophotovoltaic cell using real coded genetic algorithm.使用实码遗传算法对 InGaAs 热光伏电池进行多维优化。
Sci Rep. 2021 Apr 8;11(1):7741. doi: 10.1038/s41598-021-86175-5.
6
Analyses on RF Performances of Silicon-Compatible InGaAs-Based Planar-Type and Fin-Type Junctionless Field-Effect Transistors.基于硅兼容的平面型和鳍型无结场效应晶体管的射频性能分析
J Nanosci Nanotechnol. 2015 Oct;15(10):7615-9. doi: 10.1166/jnn.2015.11141.
7
Characterization of Subgap Density-of-States by Sub-Bandgap Optical Charge Pumping in InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors.通过InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管中的亚带隙光电荷泵浦表征亚能隙态密度
J Nanosci Nanotechnol. 2020 Jul 1;20(7):4287-4291. doi: 10.1166/jnn.2020.17785.
8
Effects of H High-pressure Annealing on HfO/AlO/InGaAs Capacitors: Chemical Composition and Electrical Characteristics.高压退火对 HfO/AlO/InGaAs 电容器的影响：化学成分和电学特性。
Sci Rep. 2017 Aug 29;7(1):9769. doi: 10.1038/s41598-017-09888-6.
9
Optical study of extended-molecular-layer flat islands in lattice-matched In0.53Ga0.47As/InP and In0.53Ga0.47As/In1-xGaxAsyP1-y quantum wells grown by low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy with different interruption cycles.采用低压金属有机气相外延法生长的、具有不同中断周期的晶格匹配In0.53Ga0.47As/InP和In0.53Ga0.47As/In1-xGaxAsyP1-y量子阱中扩展分子层扁平岛的光学研究
Phys Rev B Condens Matter. 1992 Oct 15;46(15):9525-9537. doi: 10.1103/physrevb.46.9525.
10
Defect States in InP/InGaAs/InP Heterostructures by Current-Voltage Characteristics and Deep Level Transient Spectroscopy.通过电流-电压特性和深能级瞬态谱研究InP/InGaAs/InP异质结构中的缺陷态
J Nanosci Nanotechnol. 2018 Sep 1;18(9):6239-6243. doi: 10.1166/jnn.2018.15625.