Suppr超能文献

自组装钴纳米晶体超晶格中的自旋相关隧穿

Spin-dependent tunneling in self-assembled cobalt-nanocrystal superlattices.

作者信息

Black C T, Murray C B, Sandstrom R L, Sun S

机构信息

IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA.

出版信息

Science. 2000 Nov 10;290(5494):1131-4. doi: 10.1126/science.290.5494.1131.

Abstract

Self-assembled devices composed of periodic arrays of 10-nanometer-diameter cobalt nanocrystals display spin-dependent electron transport. Current-voltage characteristics are well described by single-electron tunneling in a uniform array. At temperatures below 20 kelvin, device magnetoresistance ratios are on the order of 10%, approaching the maximum predicted for ensembles of cobalt islands with randomly oriented preferred magnetic axes. Low-energy spin-flip scattering suppresses magnetoresistance with increasing temperature and bias-voltage.

摘要

由直径为10纳米的钴纳米晶体周期性阵列组成的自组装器件表现出自旋相关的电子输运。电流-电压特性可以通过均匀阵列中的单电子隧穿很好地描述。在低于20开尔文的温度下,器件的磁阻比约为10%,接近具有随机取向的优先磁轴的钴岛集合体预测的最大值。随着温度和偏置电压的升高,低能自旋翻转散射会抑制磁阻。

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