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用于测量As(2)S(3)中光致折射率变化的横向剪切干涉仪。

Lateral shearing interferometer for measuring photoinduced refractive index change in As(2)S(3).

作者信息

Krishnaswami Kannan, Bernacki Bruce E, Hô Nicolas, Allen Paul J, Anheier Norman C

机构信息

Pacific Northwest National Laboratory, 902 Battelle Boulevard, Richland, Washington 99352, USA.

出版信息

Rev Sci Instrum. 2008 Sep;79(9):095101. doi: 10.1063/1.2973640.

DOI:10.1063/1.2973640
PMID:19044448
Abstract

We have built and demonstrated a lateral shearing interferometer as a process engineering and control tool for the fabrication and characterization of direct-laser-written waveguide structures in chalcogenide glasses. Photoinduced change in refractive index of 0.154+/-0.002 was measured for as-deposited amorphous As(2)S(3) thin films at 633 nm with an estimated measurement uncertainty of 1.3% for this air-gap interferometer configuration. The simple design of this interferometer can easily be adapted to other wavelengths including mid- and long-wave infrared regions to measure changes in refractive index or material inhomogeneities in transmissive materials.

摘要

我们构建并展示了一种横向剪切干涉仪,作为一种工艺工程和控制工具,用于硫系玻璃中直接激光写入波导结构的制造和表征。对于沉积态非晶As₂S₃薄膜,在633nm处测量到光致折射率变化为0.154±0.002,对于这种气隙干涉仪配置,估计测量不确定度为1.3%。这种干涉仪的简单设计可以很容易地适应其他波长,包括中波和长波红外区域,以测量透射材料中的折射率变化或材料不均匀性。

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