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High-performance programmable memory devices based on co-doped BaTiO3.

作者信息

Yan Zhibo, Guo Yanyan, Zhang Guoquan, Liu J-M

机构信息

Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, P. R. China.

出版信息

Adv Mater. 2011 Mar 18;23(11):1351-5. doi: 10.1002/adma.201004306. Epub 2011 Feb 15.

DOI:10.1002/adma.201004306
PMID:21384443
Abstract
摘要

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