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利用霍尔效应测量研究溶液处理的结晶分子半导体中载流子离域程度。

Hall-effect measurements probing the degree of charge-carrier delocalization in solution-processed crystalline molecular semiconductors.

机构信息

Cavendish Laboratory, University of Cambridge, United Kingdom.

出版信息

Phys Rev Lett. 2011 Aug 5;107(6):066601. doi: 10.1103/PhysRevLett.107.066601. Epub 2011 Aug 2.

Abstract

Intramolecular structure and intermolecular packing in crystalline molecular semiconductors should have profound effects on the charge-carrier wave function, but simple drift mobility measurements are not very sensitive to this. Here we show that differences in the Hall resistance of two soluble pentacene derivatives can be explained with different degrees of carrier delocalization being limited by thermal lattice fluctuations. A combination of Hall measurements, optical spectroscopy, and theoretical simulations provides a powerful probe of structure-property relationships at a molecular level.

摘要

在结晶分子半导体中,分子内结构和分子间堆积应该对载流子波函数有深远的影响,但简单的漂移迁移率测量对此并不敏感。在这里,我们表明,两种可溶性并五苯衍生物的霍尔电阻的差异可以用载流子离域程度的不同来解释,这种不同是由热晶格涨落所限制的。霍尔测量、光学光谱和理论模拟的结合为在分子水平上研究结构-性质关系提供了一个强大的探针。

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