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Reply to 'Measurement of mobility in dual-gated MoS₂ transistors'.

作者信息

Radisavljevic B, Kis A

出版信息

Nat Nanotechnol. 2013 Mar;8(3):147-8. doi: 10.1038/nnano.2013.31.

DOI:10.1038/nnano.2013.31
PMID:23459546
Abstract
摘要

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